○ 產品介紹 

        本單靶磁控濺射鍍膜儀配有一套磁控靶、一套300W的RF濺射電源(或一套500W的直流濺射電源或一套100W的偏壓電源）。鍍膜時，可根據需要分別手工連接至直流濺射電源、偏壓電源及RF濺射電源。還可根據客戶需要配置可旋轉樣品臺、加熱型樣品臺、多功能樣品臺，整機性價比高，是制作各種金屬（或非金屬）薄膜理想的鍍膜設備，可選配各種金屬靶材和真空系統。

○ 適用范圍

        是制作各種金屬（或非金屬）薄膜理想的鍍膜設備，可選配各種金屬靶材和真空系統。

○ 技術參數  

1、輸入電源：220VAC 50/60Hz  

2、濺射電流：0-150 mA可調  

3、整機功率：＜2KW  

4、輸出電壓：≦上限值1600VDC  

5、濺射腔體：采用石英腔體，尺寸：166mm OD x 150mm ID x 290mm H  

6、真空密封：采用O形密封圈密封  

7、磁控靶：2英寸帶水冷的磁控濺射頭，也可根據需要選配1英寸磁控靶  

8、樣品臺：直徑50mm不銹鋼樣品臺，樣品臺可旋轉，旋轉速率0-5 RPM ，并設計有手動操作的濺射擋板，樣品臺和靶頭之間的距離可以調節，調節范圍：30-80mm  

9、配有靶頭支架，可以在非濺射狀態時放置濺射靶頭  

10、濺射面積：4英寸  

11、真空系統：安裝有KF25真空接口，數字真空壓力表（Pa），此系統運行需要Ar氣，并且氣瓶上安裝有減壓閥（設備中不包含），可根據客戶具體需要選配各種真空泵，按實際供貨計費。   

12、進氣：含一個控制進氣的針閥和一個放氣閥本設備接氣需要安裝減壓閥（可在我公司選購減壓閥）  

13、靶材尺寸要求：Φ50mmx(0.1-2.5) mm(厚度)，適合濺射Au,Ag,Cu,Al,Ti,等金屬（可在我公司選購）對于濺射各種金屬靶材，需要摸索*理想的濺射參數，下表是本公司實驗所設置的參數  

14、有時為了達到理想的薄膜厚度，需要多次濺射鍍膜。在濺射鍍膜前，確保濺射頭、靶材、基片和樣品臺的潔凈要達到薄膜與基底良好結合，請在濺射前用超聲波清洗基材表面。  

15、基材清洗方式  

（1）丙酮超聲清洗→異丙醇超聲清洗去除油脂→吹氮氣干燥→真空烘箱除去水分  

（2）等離子清洗：可表面粗糙化，可激活表面化學鍵，可祛除額外的污染物制造一個薄的緩沖層（5納米左右）：如Gr，Ti，Mo，Ta，可以應用于改善金屬和合金的附著力此濺射鍍膜機可以放入Ar或N2氣體手套箱中濺射。 

○ 免責聲明 

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